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中国是否能自主研发光刻机?专家发言引发热议
发布时间:2026-10-09

在2024年9月的一次访谈中,一位学者的看法在网络上引起了广泛的讨论。很多人看到报道的内容后感到愤怒,认为这是对国内发展的一种打击。然而,若完整阅读这一发言,或许能理解其背后所传达的产业建议。

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这位发言者,朱士尧,作为中科大的物理学教授和前研究生院副院长,退役后还在华为担任顾问,长期活跃在科研和产业前线。此次访谈在中美芯片竞争激烈的背景下进行,随着国外对设备出口的制约加剧,中国的半导体企业正在加大自主研发的步伐。朱士尧提到的话并不是说中国不能制造任何类型的光刻机,而是明确指出极紫外(EUV)光刻机的制造。然而,这种顶尖设备的生产过程,并非哪个国家可以单独完成。

据他介绍,极紫外光刻机内部包含超过十万个零件,且全球有超过五千家不同的供应商参与其中。阿斯麦作为唯一能够生产商用极紫外光刻机的公司,虽然负责整机集成,但光源来自美国,光学镜头由德国提供,核心材料由日本输送,精密零部件则依赖瑞士制造,任何一个环节的缺失将导致整个机组无法正常运作。

实际上,美国在90年代启动了国家级的极紫外光刻机项目,虽投入重金与国内顶尖实验室合作,但经过十几年的努力,项目却未能落地。如今美国的芯片巨头仍然需要向阿斯麦采购设备。类似地,日本尼康也试图自主开发这一技术,然而一旦脱离全球供应链,原型机的良品率就无法达标,项目只能搁浅。

朱士尧在9月16日发布的回应视频中,强调自己并不是在贬低国内科技水平,而是在提醒相关行业应对现实有清醒的认识,必须尊重全球产业分工的规律。此次访谈后,社会舆论出现两种不同声音:一方面认为应理性看待技术差距,避免急功近利;另一方面则呼吁加大对半导体领域的研发投入。事件引发国内行业内部讨论,许多供应链主题的研讨会相继举行,行业从业者也开始重新思考国产光刻机的追赶策略。

光刻机是将芯片设计转化为实体电路的关键设备,没有它,任何高明的芯片设计都无法落地。特别是极紫外光刻机使用的13.5纳米波长的光线,制造条件极为严苛,要经过高频激光击打熔融锡滴,瞬间产生温度高达二十万摄氏度的等离子体再通过特制反射镜聚焦,每个反射镜的制作周期也需要数月。阿斯麦在2025年全年的净销售额达到327亿欧元,净利润为96亿欧元,同时未交付的订单额也高达388亿欧元,极紫外相关订单总价值更是高达255亿欧元。该公司在极紫外系统方面的销售额同比增长39%,市场占有率达到了100%。

目前,国内的光刻产业分为两条截然不同的路径:成熟制程的深紫外(DUV)光刻机已经进入了量产阶段。上海微电子的90纳米机型实现了稳定的量产,28纳米的浸没式机型也已成功交付,这类设备能制造用于汽车和消费电子的芯片,市场份额逐渐提高。根据工信部的记录,首款国产DUV设备技术指标中,分辨率为65纳米,套刻精度为8纳米,并纳入国家政策支持体系,降低了国产设备验证的门槛。

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然而,极紫外光刻机的研发还面临着三项重要的技术挑战:第一,高精度光学镜头要求误差控制在0.1纳米以内,这项技术长期由德国企业所垄断;第二,13.5纳米的极紫外光源技术被美国企业控制,尽管哈尔滨工业大学已研制出能够稳定输出的光源原型,但光源的转换效率仍需进一步提高;第三,整机集成软件的开发极为复杂,阿斯麦花费数十年的时间与大量专利积累使其能够协调数万个零部件的运作,绕过专利障碍的难度极大。

路透社在2025年12月报道了中国科研团队在深圳实验室研发出的极紫外原型机,设备几乎占满了整个车间,并且包含前阿斯麦的工程师参与逆向研发。该原型机虽能够生成极紫外光,但仍无法切割出可用的芯片。官方设定的目标是到2028年能够生产出可用芯片,行业内的专家评估,更可能的实现时间在2030年左右,光学系统仍然是最大的短板。

许多人喜欢将光刻机研发与“两弹一星”项目进行对比,但这两个工程的目标是完全不同的。“两弹一星”只要求达到有无的标准,而光刻机除了要求造出样机外,还需确保其能长期稳定运作并保障芯片良率,控制生产成本在可接受的范围内。即便样机能够输出光点,也并不意味着能够在工厂内实现量产。

随着国家对半导体设备、零部件及原材料出口控制的逐步加强,影响面不断扩大,不仅限制国内对高端设备的采购,同时也迫使整个产业链加快自主研发的步伐。截止到2025年,中国大陆已成为阿斯麦最大的单一市场,为其贡献了大约95亿欧元的销售额,占其总销售额的29%。在这一年,阿斯麦在中国市场的销售占比为36%,较前一季度下降了6个百分点。

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